Курс физики . Страница 401 (Добавлена 2012-05-26 21:13)
Участок ВС соответствует области истощения примесей (это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника.
§ 244. Фотопроводимость полупроводников
Фотопроводимость (см. § 202) полупроводников ? увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения ? может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (h? ? ?E), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 324, а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.
Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при h? < ?E: для полупроводников с донорной примесью фотон должен обладать энергией h? ? ?ЕD, а для полупроводников с акцепторной примесью — h? ? ?ЕA. При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводника n-типа (рис. 324, б) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника p-типа (рис. 324, в). В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников п-типа и чисто дырочной для полупроводников p-типа.
Таким образом, если
(244.1)
(?Eп — в общем случае энергия активации примесных атомов), то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость. Из (244.1) можно определить красную границу фотопроводимости — максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:
Учитывая значения ?E и ?Eп для конкретных полупроводников, можно показать, что красная граница фотопроводимости для собственных полупроводников приходится на видимую область спектра, для примесных же полупроводников — на инфракрасную.
На рис. 325 представлена типичная зависимость фотопроводимости j и коэффициента поглощения { от длины волны ? падающего на полупроводник света. Из рисунка следует, что при ?>?0 фотопроводимость действительно не возбуждается. Спад фотопроводимости в коротковолновой части полосы поглощения объясняется большой скоростью рекомбинации в условиях сильного поглощения в тонком поверхностном слое толщиной х?1 мкм (коэффициент поглощения ?106 м–1).
Предыдущая страница |
Следующая страница
|